文件名称:hh

  • 所属分类:
  • 软件工程
  • 资源属性:
  • 上传时间:
  • 2012-11-26
  • 文件大小:
  • 268kb
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  • 提 供 者:
  • 胡*
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1.掌握存储器的设计目标和功能特点,熟悉SRAM2114的结构特点

2.利用SRAM2114和相关的基本电路设计8位地址的存储器电路

3.在TDN-CM+实验系统中,用SRAM2114 和门电路实现8位地址的存储器电路

4.以表格记录在学号加班号为起点的16个地址单元中,分别写入相应的反码

5.绘制带开关输入功能的存储器电路连接图,撰写相应的设计报告

-1. Master memory design goals and functional characteristics of the structural features of two familiar SRAM2114. SRAM2114 and the associated use of the basic circuit design of 8-bit address of the memory circuit 3. TDN-CM+ experimental system, and doors with SRAM2114 circuit 8-bit address of the memory circuit 4. in order to form to record the number of school to work overtime, No. 16 addresses as a starting point units, respectively, to write the corresponding anti-code 5. Drawing with switch input of the memory circuit connection diagram, write the corresponding design report
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下载文件列表

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WordDocument

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Data

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[5]DocumentSummaryInformation

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