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文件名称:VLSI4

  • 所属分类：
  • VHDL编程
  • 资源属性：
  • [PDF]
  • 上传时间：
  • 2015-11-11
  • 文件大小：
  • 22.63mb
  • 下载次数：
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修正介绍说明

介绍说明－－下载内容均来自于网络，请自行研究使用

The mismatch drift of dynamic circuits, which must

be corrected by precharging before activation, is a fundamental

process and device reliability issue for very large scale integration

(VLSI) circuits. In this paper, we report the consequences of hotcarrier effects on gate capacitance variation and its impact on

the mismatch drift of MO
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)

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VLSI4

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