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FLASH
- K9F1208U0M 的ALE、CLE分别由DSP 的A1 和A0 控制。DSP的低8位数据线直接与闪存的I/O0-I/O7 相连，实现命令、地址和数据的传输； DSP的通用I/O口IOA2 接R/B，监测存储器的工作状态，当R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行；操作完成后, R/ B 会自动返回高电平。DSP的W E 、R D 分别接FLASH的W E 、R E ， 控制读、写操作。CS2接闪存的片选线CE。
NAND_Boot_Code_v051108
- 三星 s3c2460 从k9f1208u0m NAND FLASH BOOT系统 源代码
K9F1208U0M-YIB0
- K9F1208U0M-YIB0使用说明，关于地址分配及对应寄存器的功能
NAND FLASH 存取原理
- NAND Flash 的數據是以bit 的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page. (Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁5
FLASH
- K9F1208U0M 的ALE、CLE分别由DSP 的A1 和A0 控制。DSP的低8位数据线直接与闪存的I/O0-I/O7 相连，实现命令、地址和数据的传输； DSP的通用I/O口IOA2 接R/B，监测存储器的工作状态，当R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行；操作完成后, R/ B 会自动返回高电平。DSP的W E 、R D 分别接FLASH的W E 、R E ， 控制读、写操作。CS2接闪存的片选线CE。-
NAND_Boot_Code_v051108
- 三星 s3c2460 从k9f1208u0m NAND FLASH BOOT系统 源代码-Samsung s3c2460 from k9f1208u0m NAND FLASH BOOT system source code
K9F1208U0M-YIB0
- K9F1208U0M-YIB0使用说明，关于地址分配及对应寄存器的功能-K9F1208U0M-YIB0 for use on the address allocation and the corresponding function registers
k9f1208u0m
- SAMSUNG存储芯片的具体数据资料 对存储的设计人士很有用的-SAMSUNG specific memory chips store data on the design are very useful
Nandflash
- MSP430单片机对K9F1208U0M FLASH的驱动代码程序-MSP430 micro K9F1208U0M FLASH driver code procedures
add_nand_flash
- 基于K9F1208U0M-YCB0,64M x 8 Bit NAND Flash Memory在NXP LPC24XX系列芯片上的应用，编译环境为ADS-Based on K9F1208U0M-YCB0, 64M x 8 Bit NAND Flash Memory in the the NXP LPC24XX series chip on the application, the compiler environment for ADS
ver_5(ports-out)
- This program is used to read NAND flash memory K9F1208U0M