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  1. topological insulator in GaN_InN quantum well

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  2. 改代码能够计算GaN_InN 量子阱内的能带结构,该体系为拓扑绝缘体体系,能够计算基本的 能带结构,电子密度分布,边沿态等。。 参看文献: [1]. Dan M, Hu G, Li L, et al. High Performance Piezotronic Logic Nanodevices Based on GaN/InN/GaN Topological Insulator[J]. Nano Energy, 2018. [2]
  3. 所属分类:其他小程序

    • 发布日期:2024-12-27
    • 文件大小:2kb
    • 提供者:稻草人2号

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