MB85RC64了 FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片配置了8192×8位，形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。 MB85RC64采用两线串行接口（与世界标准的I2C总线兼容）。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池，能够保留数据。 MB85RC64的读写次数10亿次，与EPROM和FLASH相比，有显著的改善。而且不在向写完存储器后，不需要查询序列。 -MB85RC64 out F

黑金spartan的开发板教程，包含了各类接口如spi，uart，vga的用例，以及各项存储器如flash，ddr的操作方法(spartan 6 example design)